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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：根据本申请的实施例提供了电阻器及其形成方法。根据本发明实施例提供了一种器件结构包括：衬底；第一金属间介电IMD层，位于衬底上方；电阻器，包括位于第一IMD层上方的第一电阻器层、位于第一电阻器层上方的第二电阻器层、以及位于第二电阻器层上方的第三电阻器层；第二IMD层，位于第一IMD层和电阻器上方；以及第一接触通孔，延伸穿过第二IMD层和第三电阻器层，并且终止于第一电阻器层中，和第二接触通孔，延伸穿过第二IMD层和第三电阻器层，并且终止于第一电阻器层中。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体器件及其形成方法。
主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底；第一金属间介电层，位于所述衬底上方；电阻器，包括：第一电阻器层，位于所述第一金属间介电层上方；第二电阻器层，位于所述第一电阻器层上方；以及第三电阻器层，位于所述第二电阻器层上方；第二金属间介电层，位于所述第一金属间介电层和所述电阻器上方；以及第一接触通孔和第二接触通孔，延伸穿过所述第二金属间介电层和所述第三电阻器层，并且终止于所述第一电阻器层中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及其形成方法
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