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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底包括器件区以及位于相邻器件区之间的隔离区，器件区和隔离区的基底上形成有凸立的第一牺牲层，第一牺牲层上形成有沟道凸起部；去除器件区的第一牺牲层，形成由沟道凸起部底部、隔离区区中的第一牺牲层的侧壁、以及基底的顶部围成的开口；在开口中形成绝缘层，绝缘层位于基底和沟道凸起部之间；形成绝缘层之后，去除隔离区的沟道凸起部和第一牺牲层。降低了相邻源漏掺杂层之间产生漏电的风险，而且绝缘层还能降低源漏掺杂层与后续形成的器件结构例如栅极结构之间产生的寄生电容以及栅极结构与基底之间产生的寄生电容，从而提高了半导体结构的性能。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括器件区以及位于相邻所述器件区之间的隔离区；沟道凸起部，位于所述器件区的基底顶部；绝缘层，位于所述基底和沟道凸起部之间；隔离层，位于所述器件区和隔离区的所述基底顶部，且露出所述沟道凸起部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
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