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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：本发明提供在低温下能形成含有硼原子和氮原子的膜的成膜方法及成膜装置。根据本发明的一个方式的成膜方法，将依次进行如下工序的处理反复多次：向基板供给环硼氮烷系气体，使所述基板吸附所述环硼氮烷系气体的工序；和将所述基板暴露于氮等离子体的工序。
主权项：1.一种成膜方法，其中，将依次进行如下工序的处理反复多次：向基板供给环硼氮烷系气体，使所述基板吸附所述环硼氮烷系气体的工序；和将所述基板暴露于氮等离子体的工序。
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百度查询： 东京毅力科创株式会社 成膜方法及成膜装置
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