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申请/专利权人：芜湖协鑫集成新能源科技有限公司

摘要：本申请公开TBC背接触结构晶体硅太阳能电池及其制备方法，该电池包括N型硅基底、第一隧穿氧化层、P型多晶硅层、第二隧穿氧化层、N型多晶硅层、正面钝化膜、背面钝化膜和电极组件；N型硅基底的背面分布有第一、第二沉积区，第一沉积区与N型硅基底的侧边缘具有第一间隙，第一、第二沉积区间具有第二间隙；第一隧穿氧化层、P型多晶硅层依次沉积在第一沉积区；第二隧穿氧化层覆盖第二沉积区和部分P型多晶硅层；N型多晶硅层设置在第二隧穿氧化层上；正面、背面钝化膜分别设置在N型硅基底的正面和背面；电极组件包括第一电极、第二电极和第三电极。本申请可降低对P2激光的光斑大小要求，并提高光斑的精度，降低电池制备难度。

主权项：1.一种TBC背接触结构晶体硅太阳能电池，其特征在于，包括：N型硅基底，具有沿高度方向相对设置的正面和背面，所述N型硅基底的背面分布有第一沉积区和第二沉积区，于水平方向上，所述第一沉积区与所述N型硅基底的侧边缘之间具有第一间隙，所述第一沉积区与所述第二沉积区之间具有第二间隙；第一隧穿氧化层，设置在所述N型硅基底的背面并覆盖所述第一沉积区；P型多晶硅层，设置在所述第一隧穿氧化层的表面上，并与所述N型硅基底形成第一套PN结；第二隧穿氧化层，包括设置在所述N型硅基底的背面的第一层体和设置在所述P型多晶硅层表面上的第二层体，所述第一层体覆盖所述第二沉积区，所述第二层体覆盖部分所述P型多晶硅层；N型多晶硅层，设置在所述第二隧穿氧化层的表面上，位于所述第二层体表面上的所述N型多晶硅层与所述P型多晶硅层形成第二套PN结；正面钝化膜，设置在所述N型硅基底的正面；背面钝化膜，设置在所述N型硅基底的背面并覆盖所述N型多晶硅层、所述P型多晶硅层、所述N型硅基底、所述第一隧穿氧化层和所述第二隧穿氧化层；电极组件，穿设在所述背面钝化膜内，所述电极组件包括第一电极、第二电极和第三电极；所述第一电极位于所述第二沉积区，一端穿过所述背面钝化膜以与所述N型多晶硅层相接触，另一端穿出于所述背面钝化膜；所述第二电极位于所述第一沉积区，一端穿过所述背面钝化膜以与所述N型多晶硅层相接触，另一端穿出于所述背面钝化膜；所述第三电极位于所述第一沉积区，一端穿过所述背面钝化膜以与所述P型多晶硅层相接触，另一端穿出于所述背面钝化膜。

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