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申请/专利权人：天通控股股份有限公司;天通银厦新材料有限公司
摘要：本发明属于蓝宝石晶体生长技术领域，具体涉及蓝宝石晶体生长杂质控制方法及晶体生长用坩埚。一种蓝宝石晶体生长杂质控制方法，包括以下步骤：坩埚除杂，将氧化铝溶液喷涂在钼坩埚内壁，将该坩埚放入长晶炉内，炉体进行密封后开始升温烧结和降温冷却；长晶，将氧化铝原料粉末填入处理后的坩埚内，炉体密封后开始升温熔融原料，原料融化后进行引晶和晶体生长，晶体生长完成后，冷却降温取出晶体。本发明主要利用氧化铝在不同温度下的反应设计和控制，通过坩埚除杂操作获得一种晶体生长用坩埚，避免新坩埚内杂质元素引入蓝宝石晶体生长过程中，从而控制蓝宝石晶体生长的杂质，提高了晶体生长的品质和一致性。
主权项：1.一种蓝宝石晶体生长杂质控制方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、坩埚除杂：将氧化铝溶液喷涂在钼坩埚内壁，将该坩埚放入长晶炉内，炉体进行密封后开始升温烧结和降温冷却；其中，升温烧结：第一阶段进行抽真空后，真空度控制在≤500Torr，再升温至400-500℃，保持0.5-3h，第二阶段充入保护气体后继续升温至700-750℃，保持0.5-3h，第三阶段继续升温至2055-2065℃，保持8-12h；S2、长晶：将氧化铝原料粉末填入处理后的坩埚内，炉体密封后开始升温熔融原料，原料融化后进行引晶和晶体生长，晶体生长完成后，冷却降温取出晶体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天通控股股份有限公司 天通银厦新材料有限公司 一种蓝宝石晶体生长杂质控制方法及晶体生长用坩埚
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