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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要：一种晶体生长装置，涉及晶体制备领域，尤其涉及使用提拉法制备低应力、低缺陷晶体的装置。包括炉体，置于炉体底部的坩埚及加热保温系统，晶体提拉机构，石英观察窗，所述装置还包括可升降式加热罩机构，包括加热罩体、加热罩支撑部件、设置在加热罩体四周的加热丝、加热罩升降机构。采用本装置，可以降低晶体生长过程中、以及晶体提起后降温过程中晶体内的应力，降低缺陷，避免晶体开裂，同时保持熔体内的温度梯度，保证晶体生长过程稳定，从而保证晶体成品率。
主权项：1.一种晶体生长装置，包括炉体（19），置于炉体（19）底部的坩埚（18）及加热保温系统，正对坩埚（18）中心的晶体提拉机构，置于炉体（19）侧面的石英观察窗（11），所述加热保温系统包括加热器（7）、坩埚杆（12）、保温套（13），所述晶体提拉机构包括籽晶杆（3），籽晶夹头（2），其特征在于，所述装置还包括可升降式加热罩机构，所述可升降式加热罩机构包括加热罩体（8）、加热罩支撑部件（9）、设置在加热罩体（8）四周的加热丝（14）、加热罩升降机构（10），加热罩体（8）内部设置热偶（21）；所述可升降式加热罩机构内部还设置气源盒（17），所述气源盒（17）使用气源盒固定销钉（15）定位在加热罩体（8）的内部上端，所述气源盒（17）内置气源材料（16）；所述加热罩体（8）顶部为圆锥形，下面为圆柱形，采用透明材料，其圆柱形外径小于坩埚（18）的内径；所述籽晶杆（3）穿过所述加热罩体（8），加热罩升降机构（10）驱动可升降式加热罩机构沿籽晶杆（3）上下移动；所述籽晶杆（3）与加热罩体（8）顶部之间缝隙不超过2mm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 一种晶体生长装置
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