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申请/专利权人：广东晶智光电科技有限公司
摘要：一种锑化铟晶体生长方法包括步骤：S1，装料，将InSb多晶料装在坩埚内，InSb多晶料的纯度为7.5N以上；S2，将提拉法晶体生长设备抽真空、赶气、检漏，以使提拉法晶体生长设备内达到真空；S3，将氢气通入提拉法晶体生长设备内，以使提拉法晶体生长设备内的压力维持0.1MPa；S4，化料，开启对坩埚的加热，升温融化坩埚内的InSb多晶料；S5，在InSb多晶料完全融化形成熔体后，升高温度至600‑800℃，切换通入氨气和氢气混合气，混合气中的氨气的体积比例为5‑20％，氨气和氢气的纯度为5N以上，并保温10‑20h，之后通入氢气赶气，并维持氢气气氛，下降温度至525℃；S6，在步骤S5完成后，提拉法生长晶体。由此，能够避免产生氧化物浮渣。
主权项：1.一种锑化铟晶体生长方法，其特征在于，包括步骤：S1，装料，将InSb多晶料装在坩埚内，InSb多晶料的纯度为7.5N以上；S2，将提拉法晶体生长设备抽真空、赶气、检漏，以使提拉法晶体生长设备内达到真空；S3，将氢气通入提拉法晶体生长设备内，以使提拉法晶体生长设备内的压力维持0.1MPa；S4，化料，开启对坩埚的加热，升温融化坩埚内的InSb多晶料；S5，在InSb多晶料完全融化形成熔体后，升高温度至600-800℃，切换通入氨气和氢气混合气，混合气中的氨气的体积比例为5-20％，氨气和氢气的纯度为5N以上，并保温10-20h，之后通入氢气赶气，并维持氢气气氛，下降温度至525℃；S6，在步骤S5完成后，提拉法生长晶体。
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