龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：杜鹏
摘要：公开了一种红外探测器，其包括具有多个InGaAsSb层的超晶格吸收体，以实现高量子效率和长载流子寿命。具有不同铟In含量X和或砷As含量y的InxGa1‑xAsySb1‑y，具有不同的带隙和或晶格常数。当X和Y的组合一定时，它保持相同的晶格常数，但带隙可能发生变化。含量分级改变了InGaAsSb的每一层或每几层的含量。这些多个InGaAsSb层与InAs、InGaAs、InAsSb层或另一个InGaAsSb层一起形成超晶格的周期。具有不同铟含量和或砷含量的单层InxGa1‑xAsySb1‑y与InAs、InGaAs、InAsSb层或另一InGaAsSb层的特定组合提供了具有不同微带带隙的超晶格，而整个结构仍可能与GaSb或InAs基底晶格匹配。InGaAsSb层和InAs、InGaAs、InAsSb层或另一InGaAsSb层的重复生长形成用于红外探测器的超晶格吸收体。所述n型掺杂或p型掺杂的吸收体与诸如阻挡层的其它功能层或其它类型掺杂层以及接触层结合，构成红外探测器件。
主权项：1.一种用于探测器的超晶格吸收体，所述超晶格吸收体包括连续外延的多个材料周期，所述材料周期中的每一个包括：InAs、InGaAs、InAsSb或InGaAsSb的第一层；以及多个InGaAsSb的第二层，其中，所述第二层包括至少两个InGaAsSb层，所述至少两个InGaAsSb层具有至少两个不同的含量组合，具有不同含量组合的所述第二层包括彼此不同的铟含量和或砷含量，并且所述第二层的铟含量和或砷含量与所述第一层的铟含量和或砷含量不同；其中，所述第二层中的每一层具有InxGa1-xAsySb1-y单层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杜鹏 用于探测器的超晶格吸收体
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号