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申请/专利权人：北京怀柔实验室
摘要：一种硅单晶表面无损的铝选区扩散方法及其应用。所述铝选区的制备方法或铝选区扩散方法包括：基底表面形成第一介质膜；对基底表面的第一介质膜进行Al预沉积或预扩散；保留目标区域的Al预沉积或预扩散的第一介质膜，去除非目标区域的第一介质膜；在包括第一介质膜的基底表面形成铝阻挡膜；其中，所述铝阻挡膜能够阻止Al元素的扩散，且与基底表面不存在应力失配缺陷；将第一介质膜中的Al扩散至目标深度；去除第一介质膜和铝阻挡膜，得到扩散的铝选区。本发明的实现了对硅单晶表面Al选区扩散的精确控制，可以灵活调整表面Al掺杂浓度，降低了工艺成本，提升了硅基双极功率器件的电学性能稳定性。
主权项：1.一种铝选区的制备方法，或者，一种铝选区扩散方法，其特征在于，包括如下步骤：基底表面形成第一介质膜；对基底表面的第一介质膜进行Al预沉积或预扩散；保留目标区域的Al预沉积或预扩散的第一介质膜，去除非目标区域的第一介质膜；在包括第一介质膜的基底表面形成铝阻挡膜；其中，所述铝阻挡膜能够阻止Al元素的扩散，且与基底表面不存在应力失配缺陷；将第一介质膜中的Al扩散至目标深度；去除第一介质膜和铝阻挡膜，得到扩散的铝选区。
全文数据：
权利要求：
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