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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请公开了一种应用于功率器件的沟槽填充方法，涉及半导体制造领域。该应用于功率器件的沟槽填充方法包括提供N批形成有沟槽的晶圆；N为正整数；针对每批晶圆，利用立式炉管机台在晶圆上沉积掺杂的硅，利用掺杂的硅完全填充晶圆上的沟槽；针对每批晶圆，利用立式炉管机台在晶圆上沉积非掺杂的硅，非掺杂的硅覆盖掺杂的硅；解决了目前为避免炉管内壁上掺杂元素逸出，炉管机台的产能损失较多的问题；达到了在不影响器件性能的情况下，有效避免炉管内壁上掺杂元素逸出，降低炉管机台的产能损失的效果。
主权项：1.一种应用于功率器件的沟槽填充方法，其特征在于，所述方法包括：提供N批形成有沟槽的晶圆；N为正整数；将所述晶圆放置在立式晶舟的晶圆放置位内；将所述立式晶舟放置于立式炉管机台的反应腔室内；针对每批晶圆，利用所述立式炉管机台在所述晶圆上沉积掺杂的硅，利用所述掺杂的硅完全填充所述晶圆上的沟槽，在此过程中，立式炉管内壁累积掺杂的硅膜层；针对每批晶圆，利用所述立式炉管机台在所述晶圆上沉积非掺杂的硅，所述非掺杂的硅覆盖所述掺杂的硅，在此过程中，所述立式炉管内壁累积非掺杂的硅膜层，所述非掺杂的硅膜层覆盖所述掺杂的硅膜层；将所述立式晶舟从所述立式炉管机台的反应腔室内移出；从所述立式晶舟上取下所述晶圆；通过刻蚀工艺去除所述晶圆上的非掺杂的硅；在对多批晶圆进行上述处理后，所述立式炉管内壁形成层叠的膜层结构，所述层叠的膜层结构包括依次层叠的掺杂的硅膜层和非掺杂的硅膜层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 应用于功率器件的沟槽填充方法
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