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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种金属填充方法，所述方法包括如下步骤：提供一半导体基底，所述半导体基底包括半导体衬底以及形成于所述半导体衬底表面的介质层，所述半导体基底具有贯穿所述介质层并延伸至所述半导体衬底表面的沟槽；于所述沟槽内填充形成第一金属层；减薄所述沟槽内的所述第一金属层；于所述沟槽内的所述第一金属层被减薄后形成的空隙内填充形成第二金属层，所述沟槽内的所述第二金属层与所述第一金属层形成金属填充结构。本发明通过利用在沟槽内分两次沉积金属的方式，能够有效减小沟槽内孔洞的大小，并且将孔洞密封在沟槽内部，有利于后续半导体工艺的进行，提高半导体产品的良率。
主权项：1.一种金属填充方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体基底，所述半导体基底包括半导体衬底以及形成于所述半导体衬底表面的介质层，所述半导体基底具有贯穿所述介质层并延伸至所述半导体衬底表面的沟槽；于所述沟槽内填充形成第一金属层；减薄所述沟槽内的所述第一金属层；于所述沟槽内的所述第一金属层被减薄后形成的空隙内填充形成第二金属层，所述沟槽内的所述第二金属层与所述第一金属层形成金属填充结构。
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权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 金属填充方法及半导体结构
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