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申请/专利权人：常州银河电器有限公司

摘要：本发明提供了一种获取EMI不超标的快恢复二极管的方法，区别于传统扩散方式，采用相对浓度较低的硼源，降低硼在PN附件势垒区的浓度分布，减小了反向恢复电流对电路的冲击；利用同批产品电性相对一致性原理在芯片切粒后进行封装，按照正向电压值VF大小进行排序，从小到大按区间进行QRR波形测试，即通过生产工艺及测试方法的改进可以有效控制EMI超标的快恢复二极管出厂；且这种方法不会额外增加生产成本，不会降低原先产品的可靠性且易于实现。

主权项：1.一种获取EMI不超标的快恢复二极管的方法，其特征在于，包括以下步骤：单晶片进行清洗，清洗后涂覆由去离子水、磷酸二氢铵和无水乙醇配置的磷源；进行第一次磷扩散，获取第一次磷扩散后的扩散片；将第一次磷扩散后的扩散片的背面减薄18-20μm，清洗后再进行第二次磷扩散，获取第二次磷扩散后的扩散片；将第二次磷扩散后的扩散片背面减薄10μm，清洗后涂覆低浓度的硼源，并在炉温为1255℃-1261℃的条件下，进行30-36个小时的硼扩散；将经硼扩散后的扩散片背面减薄10μm，清洗后涂覆铂源，并进行铂扩散；将经铂扩散后的扩散片进行腐蚀、玻璃钝化和表面金属化后，进行划片和裂片；焊接、模压、老化后冷却；对焊接、模压、老化冷却后的试样快恢复二极管进行测试；所述测试过程包括：测量若干个试样快恢复二极管的正向电压值VF，并根据测量得到的正向电压值VF按照大小顺序将试样快恢复二极管分为若干类；对每一类中的所有快恢复二极管进行QRR波形测试，当测得得快恢复二极管的QRR波形出现异常时，记录该快恢复二极管所在的类别；根据测试结果设定最低正向电压值VFL和最高正向电压值VFH；对所有的成品快恢复二极管进行电镀；测量若干个电镀后的快恢复二极管的正向电压值VF，并根据测量得到的正向电压值VF按照大小顺序将电镀后的快恢复二极管分为若干类，确认电镀前与电镀后的电压正向值VF存在的差异，再次进行QRR波形测试，获取QRR波形合格的快恢复二极管的最小正向电压值VF；利用获取的QRR波形合格的快恢复二极管的最小正向电压值VF，修正最低正向电压值VFL和最高正向电压值VFH；对所有成品的快恢复二极管进行一贯机测试；完成一贯机测试后，抽取若干个成品的快恢复二极管进行QRR波形检测，合格则入库，准备出货。

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