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申请/专利权人：华润微电子(重庆)有限公司
摘要：本发明提供一种氧化镓异质结二极管及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：提供一衬底，于所述衬底的上表面形成漂移层；于所述衬底的下表面形成阴极金属层；于所述漂移层的两侧做刻蚀形成凹槽，所述凹槽的深度大于等于所述漂移层的深度；于所述凹槽内填充高K金属氧化物形成电荷补偿层；于所述漂移层上表面形成异质层，所述漂移层与所述异质层构成异质结；于所述异质层上表面形成阳极金属层。本发明的氧化镓异质结二极管及其制备方法用于解决现有氧化镓异质结二极管导通电阻高、击穿电压低的问题。
主权项：1.一种氧化镓异质结二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：S1：提供一衬底，于所述衬底的上表面形成漂移层；S2：于所述衬底的下表面形成阴极金属层；S3：于所述漂移层的两侧做刻蚀形成凹槽，所述凹槽的深度大于等于所述漂移层的深度；S4：于所述凹槽内填充高K金属氧化物形成电荷补偿层；S5：于所述漂移层上表面形成异质层，所述漂移层与所述异质层构成氧化镓异质结；S6：于所述异质层上表面形成阳极金属层。
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权利要求：
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