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申请/专利权人：力特半导体(无锡)有限公司
摘要：公开了一种具有高换向能力的TRIAC器件，特别是公开了一种半导体器件装置、结构及其相关方法。该装置包括第一硅层、第二硅层和第三硅层，第一硅层被耦合到第二硅层，并且第二硅层被耦合到第三硅层。该装置包括形成在第一硅层和第二硅层的至少一部分中的沟槽、形成在至少第二硅层中的隔离区，其中隔离区从沟槽延伸到第三硅层。该装置还包括耦合到第一硅层的第一部分的第一主端子一和第一栅极端子、耦合到第一硅层的第二部分的第二主端子一与第二栅极端子、耦合到第三硅层的主端子二，以及第一硅层和第三硅层中的一个或多个硅区。
主权项：1.一种装置，包括：第一硅层、第二硅层和第三硅层，所述第一硅层被耦合到所述第二硅层，并且所述第二硅层被耦合到所述第三硅层；沟槽，其形成在所述第一硅层中和所述第二硅层的至少一部分中；隔离区，其形成在至少所述第二硅层中，其中，所述隔离区被配置为从所述沟槽延伸到所述第三硅层；第一主端子一和第一栅极端子，所述第一主端子一和所述第一栅极端子耦合到所述第一硅层的第一部分；第二主端子一和第二栅极端子，所述第二主端子一和所述第二栅极端子耦合到所述第一硅层的第二部分；主端子二，其耦合到所述第三硅层；以及一个或多个硅区，其在所述第一硅层和所述第三硅层中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 力特半导体(无锡)有限公司 一种具有高换向能力的TRIAC器件
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