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申请/专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要：本发明涉及半导体领域，公开了一种发光二极管，包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N电极和P电极，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述N电极与所述P电极之间相互绝缘；所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层中部的凹槽，所述凹槽的底部为第一表面；所述P电极位于所述P型半导体层上且与所述P型半导体层电连接；在所述凹槽内还设有内槽，所述内槽的底部为第二表面，所述第二表面的粗糙度低于所述第一表面的粗糙度，所述N电极通过所述内槽的第二表面与所述N型半导体层电连接。
主权项：1.一种发光二极管，包括N型半导体层、有源层、P型半导体层、N电极和P电极，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述N电极与所述P电极之间相互绝缘；所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层中部的凹槽，所述凹槽的底部为第一表面；所述P电极位于所述P型半导体层上且与所述P型半导体层电连接；其特征在于，在所述P型半导体层与所述P电极之间还依次层叠有第一CBL层、DBR层和第二CBL层；所述DBR层上设有暴露所述第一CBL层的第一通孔，所述第一CBL层和所述第二CBL层上设有暴露所述P型半导体层的第二通孔，所述第一CBL层和所述第二CBL层将所述DBR层完全包裹密封；在所述凹槽内还设有内槽，所述内槽的底部为第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间具有高度差△H1，所述N电极通过所述内槽的第二表面与所述N型半导体层电连接。
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权利要求：
百度查询： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 发光二极管
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