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申请/专利权人：豪威科技股份有限公司
摘要：本申请案涉及金字塔形晶体管。晶体管包含由沟道宽度平面中的三角形形状或梯形形状及沟道长度平面中的梯形形状界定的金字塔形栅极沟槽。所述金字塔形栅极沟槽的侧壁部分形成在所述沟道宽度平面中具有三角形形状或梯形形状的沟道。有利地，此类晶体管增加跨导而不会增加像素宽度。还提供并入此类晶体管的装置、图像传感器及像素，以及其制造方法。
主权项：1.一种形成在半导体衬底中的晶体管，其包括：栅极沟槽，其形成在所述半导体衬底中，其中所述栅极沟槽包含在脊处会聚的多个侧壁部分和多个端壁部分，所述多个端壁部分包括第一端壁和第二端壁，其中所述第一端壁和所述第二端壁分别形成在所述脊的相对端，并与所述脊的所述相对端成钝角；源极，其形成在所述栅极沟槽的所述第一端壁下面；漏极，其形成在所述栅极沟槽的所述第二端壁下面；隔离层，其在所述源极与所述漏极之间安置在所述栅极沟槽上；及栅极，其安置在所述隔离层上，其中所述多个侧壁部分、所述脊及所述半导体衬底的顶表面在延伸穿过所述栅极且垂直于所述脊的沟道宽度平面中界定V形或梯形形状，其中所述源极与所述漏极通过所述栅极沟槽对准。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 豪威科技股份有限公司 金字塔形晶体管
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