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申请/专利权人：力旺电子股份有限公司
摘要：本发明公开一种电荷捕捉式非易失性存储器的存储晶体管，该存储晶体管包括：一半导体基板、一阱区、一栅极结构、一间隙壁、一第一掺杂区与一第二掺杂区。阱区形成于半导体基板的表面。第一掺杂区与一第二掺杂区形成于阱区内。栅极结构包括：一第一隧穿层、一第二隧穿层、一第三隧穿层、一捕捉层、一阻挡层与一栅极层。第一隧穿层接触于阱区的表面。第二隧穿层覆盖于第一隧穿层。第三隧穿层覆盖于第二隧穿层。捕捉层覆盖于第三隧穿层。阻挡层覆盖于捕捉层。栅极层覆盖于阻挡层。
主权项：1.一种电荷捕捉式非易失性存储器的存储晶体管，该存储晶体管包括：半导体基板；阱区，形成于该半导体基板的表面；栅极结构，形成于该阱区表面；间隙壁，位于该栅极结构的侧边，且围绕于该栅极结构；以及第一掺杂区与第二掺杂区，形成于该阱区内，位于该栅极结构的二侧；其中，该栅极结构包括：第一隧穿层，接触于该阱区的表面，且该第一隧穿层的材质为氧化物；第二隧穿层，覆盖于该第一隧穿层，且该第二隧穿层的材质为氮化物；第三隧穿层，覆盖于该第二隧穿层，且该第三隧穿层的材质为氮氧化物；捕捉层，覆盖于该第三隧穿层；阻挡层，覆盖于该捕捉层；以及栅极层，覆盖于该阻挡层；其中，该第一隧穿层、该第二隧穿层与该第三隧穿层的材质不同，且该栅极层的功函数大于该阱区的功函数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 力旺电子股份有限公司 电荷捕捉式非易失性存储器的存储晶体管
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