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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

摘要：本发明公开了一种高Latchup能力的失效安全IO电路，包含一失效安全IO基础电路以及一分压电阻R1；所述的失效安全IO基础电路包含有第一及第二控制端输入接口，从外界通过所述第一及第二控制端输入接口分别输入第一及第二控制信号，以控制所述电路的工作；所述的失效安全IO基础电路还包含有一PAD端，所述PAD端为信号电流通道；所述的失效安全IO基础电路的电源正极端通过电阻R1接到外部电源上。在电路正常工作时，较小的驱动电流在分压电阻上形成的压降极小，不影响电路的正常工作；当假定Latchup发生时，大的Latchup保持电流在分压电阻上产生的压降使得寄生SCR的源端电压低于Latchup的保持电压，从而抑制了Latchup的发生。

主权项：1.一种高Latchup能力的失效安全IO电路，其特征在于：包含一失效安全IO基础电路以及一电阻R1；所述的失效安全IO基础电路包含有第一及第二控制端输入接口，从外界通过所述第一及第二控制端输入接口分别输入第一及第二控制信号，以控制所述电路的工作；所述的失效安全IO基础电路还包含有一PAD端，所述PAD端为信号电流通道；所述的失效安全IO基础电路还包含有一电源正极以及一电源负极，所述电源负极接地；所述的电源正极通过电阻R1接到外部电源；所述的失效安全IO基础电路为一NMOS、一PMOS以及一高压选择电路组成；所述的第一控制信号接PMOS的栅极，所述第二控制信号接NMOS的栅极，所述的NMOS的源极为所述的失效安全IO基础电路的电源负极，失效安全IO基础电路通过所述的电源负极接地；所述的PMOS与NMOS串联，即PMOS的漏端与NMOS的漏端相连；所述PMOS与NMOS的串联节点为PAD端；所述PMOS的源端与电阻R1的第一端相连，所述电阻R1的第二端为外部电源的连接端；在所述PMOS的漏端与电阻R1的第二端之间还接有一高压选择电路，所述PMOS的bulk端连接到高压选择电路；所述高压选择电路实现PMOS的bulk端在外部电源电压与PAD之间切换；发生latchup时，所述PMOS的N阱悬空，整个失效安全IO电路寄生等效为N阱悬空的晶闸管SCR。

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