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摘要：本发明涉及半导体器件失效分析方法技术领域，具体涉及由半导体分立器件背面进行失效定位的方法，包括如下步骤：提供已封装且失效的半导体分立器件，对其管脚封样固化，然后酸腐蚀去除样品背面金属板、焊料、芯片背金；再去除样品管脚的封样固化物以完全裸露出管脚，得到失效样品；将失效样品的管脚栅极G、发射极E和芯片背面集电极C与热点定位设备上的三个探针分别接触后，通电，通过接收故障点产生的热辐射异常来定位热点位置；本发明方法能够完整保留芯片正面的塑封材料以及保证硅片的完整性，对样品本身的漏电通道影响较小，且可从器件背面识别出芯片正面结构；本发明方法能快速、精确定位出失效位置，便于后续失效分析。
主权项：1.由半导体分立器件背面进行失效定位的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、提供已封装的、且需要进行失效分析的半导体分立器件，对所述半导体分立器件的管脚进行完全封样固化，形成第一中间样品；S2、去除所述第一中间样品背面的金属板、焊料以及芯片背金，得到第二中间样品；S3、去除所述第二中间样品的管脚外的封样固化物，从而完全裸露出管脚，得到失效样品；S4、热点定位：采用Thermal定位设备通电后从所述失效样品的背面进行热点定位，通过接收故障点产生的热辐射异常来定位热点位置，该热点位置即为失效位置。
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百度查询： 江苏宏微科技股份有限公司 由半导体分立器件背面进行失效定位的方法
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