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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明提供一种晶圆背面减薄的工艺方法，在晶圆正面贴膜后并在晶圆背面减薄前，自晶圆背面对晶圆边缘进行环状激光隐形切割，以在晶圆正面边缘内部的预设深度形成环状的隐形隔离带，且隐形隔离带在晶圆厚度方向上至少部分伸入至产品正面工艺在晶圆厚度方向上对应的区域。该隐形隔离带可在晶圆背面减薄过程中阻隔应力的传递，如此当晶圆边缘在产品正面工艺过程中导致产生损伤的情况下可阻断损伤的进一步扩大，即阻断晶圆边缘的损伤进一步向晶圆内部延伸，有效降低甚至避免晶圆边缘的损伤延伸到有效产品上，提高产品可靠性及产品良率。
主权项：1.一种晶圆背面减薄的工艺方法，其特征在于，所述工艺方法包括：提供完成产品正面工艺的晶圆，并于所述晶圆正面贴膜；自所述晶圆背面对所述晶圆边缘进行环状激光隐形切割，以在所述晶圆正面边缘内部的预设深度形成环状的隐形隔离带，且所述隐形隔离带在所述晶圆厚度方向上至少部分伸入至所述产品正面工艺区域在所述晶圆厚度方向上对应的区域；对所述晶圆进行背面减薄，以使所述晶圆达到所需厚度；去除所述晶圆的正面贴膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 晶圆背面减薄的工艺方法
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