买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

摘要：本发明涉及TBC电池背面钝化层的制备方法、钝化层及TBC电池，属于光伏电池制备技术领域。包括：在N型硅片背面的第一区域形成第一隧穿氧化层、掺硼多晶硅层、第一氧化硅层、第一本征多晶硅膜层和第一mask掩膜层；在第二区域形成第二隧穿氧化层、掺磷多晶硅层、第二氧化硅层、第二本征多晶硅膜层和第二mask掩膜层；使用酸溶液和碱溶液去除第一mask掩膜层、第二mask掩膜层、第一本征多晶硅膜层和第二本征多晶硅膜层。通过增加第一氧化硅层、第一本征多晶硅膜层、第二氧化硅层和第二本征多晶硅膜层，能够在去除第一mask掩膜层、第二mask掩膜层时，保护掺硼多晶硅层和掺磷多晶硅层，提高TBC电池的光电转换效率。

主权项：1.一种TBC电池背面钝化层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，对N型硅片1的正面和背面进行双面碱抛光处理，并将N型硅片1的背面分为多个第一区域、多个第二区域和多个隔离区域，并使得多个第一区域和多个第二区域之间交叉平行分布，且相邻的第一区域和第二区域之间通过隔离区域分开；S2，对完成双面碱抛光处理的N型硅片1背面进行第一次PECVD处理和第一次退火处理，以在N型硅片1的背面形成第一隧穿氧化层2、掺硼多晶硅层3、第一氧化硅层4、第一本征多晶硅膜层5和第一mask掩膜层6；S3，对完成第一次退火处理的N型硅片1背面的多个第二区域和多个隔离区域进行第一次激光开槽处理，以去除第二区域和隔离区域的第一隧穿氧化层2、掺硼多晶硅层3、第一氧化硅层4、第一本征多晶硅膜层5和第一mask掩膜层6；S4，对完成第一次激光开槽处理的N型硅片1背面的多个第二区域和多个隔离区域进行第二次PECVD处理和第二次退火处理，以在N型硅片1背面的第二区域和隔离区域均依次形成第二隧穿氧化层7、掺磷多晶硅层8、第二氧化硅层9、第二本征多晶硅膜层10和第二mask掩膜层11；S5，对完成第二次退火处理的N型硅片1背面的多个隔离区域进行第二次激光开槽处理，以去除隔离区域的第二隧穿氧化层7、掺磷多晶硅层8、第二氧化硅层9、第二本征多晶硅膜层10和第二mask掩膜层11；S6，使用酸溶液对完成第二次激光开槽处理的N型硅片1进行第一次清洗处理，以去除N型硅片1背面的第一mask掩膜层6和第二mask掩膜层11；使用碱溶液对完成第一次清洗处理的N型硅片1进行第二次清洗处理，以去除N型硅片1背面的第一本征多晶硅膜层5和第二本征多晶硅膜层10；S7，对完成第二次清洗处理的N型硅片1进行制绒处理；S8，对完成制绒处理的N型硅片1进行ALD处理，来形成氧化铝薄膜层12，以得到制备好的TBC电池的钝化层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 晋能清洁能源科技股份公司 晋能光伏技术有限责任公司 TBC电池背面钝化层的制备方法、钝化层及TBC电池