龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：横店集团东磁股份有限公司
摘要：本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种具有抛光隔离区结构的TBC太阳能电池的制备方法。首先，本发明将具有金字塔绒面的常规隔离区结构改进为凸出于硅片背面的抛光隔离区结构，可增加入射光在硅基体内的反射，从而提升电池Isc，同时，由于初始隔离区被掩膜层保护住，后续不受湿法腐蚀破坏，可使隔离区与硼磷扩散层高度差较小，有利于硅基底内部载流子横向传输，提升FF，其次，本发明通过优化工艺步骤，实现了单次沉积本征多晶硅层即可得到TBC太阳能电池，可有效提升产品的性能和良品率，并同时显著降低生产成本。
主权项：1.一种具有抛光隔离区结构的TBC太阳能电池的制备方法，其特征在于包括：S1、硅片双面抛光；S2、背面形成隧穿氧化层、本征多晶硅层、掩膜层；S3、开槽去除硼扩散设计区域的掩膜层；S4、碱清洗；S5、硼扩散，使硼扩散设计区域的本征多晶硅层转为硼扩散层和BSG层；S6、保留隔离区设计区域的掩膜层，开槽去除磷扩散设计区域的掩膜层；S7、碱清洗；S8、磷扩散，使磷扩散设计区域的本征多晶硅层转为磷扩散层、PSG层；S9、去除绕镀层；S10、湿法清洗及正面制绒，酸洗去除残留掩膜层、PSG层和BSG层，形成凸出于硅片背面的抛光隔离区；S11、双面镀膜；S12、丝网印刷、烧结、光注入。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 横店集团东磁股份有限公司 一种具有抛光隔离区结构的TBC太阳能电池的制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号