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一种新型掺杂材料的TBC太阳能电池、制备方法及设备 

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申请/专利权人:安徽旭合新能源科技有限公司

摘要:本发明公开了一种新型掺杂材料的TBC太阳能电池、制备方法及设备,包括以下步骤:S1:将待处理硅片放入SDE槽中SDE处理,并采用KOH处理液;S2:将S1所得硅片采用PECVD等离子增强化学气相沉积对其背面进行原位掺杂,制备遂穿层和硼掺杂多晶硅层;S3:将S2所得硅片采用皮秒激光对其背面处理形成第一激光消融区;S4:将S3所得硅片放入RCA槽中进行RCA清洗;S5:将S4所得硅片采用PECVD对第一激光消融区进行原位掺杂,制备遂穿层和砷掺杂多晶硅层。本发明通过在硅片上原位掺杂砷掺杂多晶硅层,解决了TBC电池片磷掺杂多晶硅钝化均匀性差导致电池效率低的问题,电池效率提升可达0.5%。

主权项:1.一种新型掺杂材料的TBC太阳能电池制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:将待处理硅片1放入SDE槽中SDE处理,并采用KOH处理液;S2:将S1所得硅片1采用PECVD对其背面进行原位掺杂,制备遂穿层2和硼掺杂多晶硅层3;S3:将S2所得硅片1采用皮秒激光对其背面处理形成第一激光消融区;S4:将S3所得硅片1放入RCA槽中进行RCA清洗;S5:将S4所得硅片1采用PECVD对第一激光消融区进行原位掺杂,制备遂穿层2和砷掺杂多晶硅层7;S6:将S5所得硅片1背面进行退火处理;S7:将S6所得硅片1采用皮秒激光对其背面处理形成第二激光消融区;S8:将S7所得硅片1放入制绒槽中进行制绒清洗,并采用KOH处理液;S9:将S8所得硅片1背面进行ALD镀膜形成钝化层4;S10:将S9所得硅片1的正面和背面采用MOCVD真空蒸发,制备MgF2减反射层5和SiNxZnS减反射层6;S11:将S10所得硅片1的背面制备正电极8和负电极9。

全文数据:

权利要求:

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