龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：横店集团东磁股份有限公司
摘要：本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种利用激光去除TBC太阳能电池硅片绕镀层的方法。本发明采用“三步法”激光处理+碱清洗方式来去除硅片正面及侧面的绕镀层，具有高效、负面影响小的优点，并且去绕镀过程中无需经过酸处理，更加环保以及成本低的特点。
主权项：1.一种利用激光去除TBC太阳能电池硅片绕镀层的方法，其特征在于包括：S1、选取正面及侧面具有绕镀层的TBC半成品硅片；S2、激光图形化开槽初步去除硅片背面p区和n区交界处的沉积层，使该区域硅片背面初步形成隔离区；S3、通过紫外飞秒激光、绿光皮秒激光和红外纳秒激光三步处理去除硅片正面绕镀层；S4、将多片S3所得硅片层状堆叠；S5、通过紫外飞秒激光、绿光皮秒激光和红外纳秒激光处理堆叠后硅片四个侧面的绕镀层，使硅片侧面的绕镀层被初步去除；S6、碱清洗制绒，彻底去除绕镀层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 横店集团东磁股份有限公司 一种利用激光去除TBC太阳能电池硅片绕镀层的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号