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申请/专利权人：武汉莱格晶钻科技有限公司
摘要：本发明涉及硅片衬底表面预处理方法，以硅片作为衬底，在其表面进行图形化；对前述所得衬底进行磁控溅射镀钼处理；对前述所得衬底进行光刻胶去胶处理；将前述所得衬底浸入金刚石粉悬浊液中进行超声震荡处理，以在衬底表面形成划痕缺陷；对前述所得衬底进行清洗干燥，即得目标物。一种如上述硅片衬底表面预处理方法所制备的硅片衬底应用于生产自支撑金刚石膜。有益效果是：通过对硅衬底表面进行图形化处理，形成排布规则的网格形核区域，然后将钼过渡层规则的沉积在硅衬底表面，并利用金刚石粉悬浊液，在经过图形化的硅片表面形成均匀的划痕缺陷，提高硅片表面金刚石形核的密度及其均匀性，为高品质金刚石厚膜的生长提供了良好的前提条件。
主权项：1.一种硅片衬底表面预处理方法，其特征在于，包括如下步骤：S100、以硅片作为衬底，利用掩膜版对所得衬底表面进行图形化处理，在硅沉积的光刻胶上形成分布均匀的图形，以形成排布规则的网格形核区域，图形化所使用的掩膜版包含有经纬排列且形状规则图案，每两相邻图案之间的间距保持在30μm以上；S200、对S100所得衬底进行磁控溅射镀钼处理，让钼过渡层规则的沉积在硅衬底表面，以提高金刚石膜均匀形核的形核率，避免因形核率的不均匀性所引起的内应力；S300、对S200所得衬底进行光刻胶去胶处理；S400、将S300所得衬底浸入金刚石粉悬浊液中进行超声震荡处理，以在衬底表面形成划痕缺陷，以提高硅片表面金刚石形核的密度及其均匀性；S500、对S400所得衬底进行清洗干燥，即得目标物，所得硅片衬底具有较低的热膨胀系数，并在将其应用于生产自支撑金刚石膜时降低金刚石膜破裂的机率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉莱格晶钻科技有限公司 一种硅片衬底表面预处理方法及其应用
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