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气化装置、衬底处理装置、清洁方法及半导体器件的制造方法 

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申请/专利权人:株式会社国际电气

摘要:本发明涉及气化装置、衬底处理装置、清洁方法及半导体器件的制造方法。提供能够使气化气体的供给流量稳定化的技术。气化装置具有:液体容器,其贮存液体原料;第1加热部,其浸渍在贮存于液体容器的液体原料中,对液体原料进行加热;第2加热部,其对液体容器进行加热;第1温度传感器,其浸渍在贮存于液体容器的液体原料内,对液体原料的温度进行测定;第2温度传感器,其对液体容器的温度进行测定;以及控制部,其构成为能够基于由第1温度传感器测定的液体原料的温度对第1加热部进行控制,并基于由第2温度传感器测定的温度对第2加热部进行控制。

主权项:1.气化装置,其具有:液体容器,其贮存液体原料;第1加热部,其浸渍在贮存于所述液体容器的所述液体原料中,对所述液体原料进行加热;第2加热部,其对所述液体容器进行加热;第1温度传感器,其浸渍在贮存于所述液体容器的所述液体原料中,对所述液体原料的温度进行测定;第2温度传感器,其对所述液体容器的温度进行测定;以及控制部,其构成为能够基于由所述第1温度传感器测定的所述液体原料的温度以使由所述第1温度传感器测定的温度达到规定的第1温度的方式对所述第1加热部进行控制,并基于由所述第2温度传感器测定的所述液体容器的温度以使由所述第2温度传感器测定的温度达到规定的第2温度的方式对所述第2加热部进行控制,所述第2温度高于所述第1温度。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 株式会社国际电气 气化装置、衬底处理装置、清洁方法及半导体器件的制造方法

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