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申请/专利权人：青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
摘要：本发明提供了一种碳化硅复合衬底及其制备方法。所述制备方法包括：1使用抛光液分别对支撑衬底的待键合面和单晶碳化硅衬底的待键合面进行抛光，得到抛光支撑衬底和抛光单晶碳化硅衬底；其中，所述抛光液的成分包括氧化剂、碳化钛、pH调节剂、分散剂和溶剂；所述抛光液的pH值为10‑11；2对所述抛光支撑衬底和所述抛光单晶碳化硅衬底分别进行预处理，然后进行键合，得到碳化硅复合衬底。本发明采用上述抛光液进行抛光，可提升抛光速率及抛光质量，提高碳化硅复合衬底的键合质量。
主权项：1.一种碳化硅复合衬底的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：1使用抛光液分别对支撑衬底的待键合面和单晶碳化硅衬底的待键合面进行抛光，得到抛光支撑衬底和抛光单晶碳化硅衬底；其中，所述抛光液的成分包括氧化剂、碳化钛、pH调节剂、分散剂和溶剂；所述抛光液的pH值为10-11；2对所述抛光支撑衬底和所述抛光单晶碳化硅衬底分别进行预处理，然后进行键合，得到碳化硅复合衬底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 一种碳化硅复合衬底及其制备方法
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