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硅单晶的制造方法和装置以及硅片的制造方法 

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申请/专利权人:胜高股份有限公司

摘要:[课题]提供能够定量评价石英坩埚的变形、偏心的有无或变形、偏心的大小的硅单晶的制造方法和装置。[解决方案]本发明是从石英坩埚11内的硅熔液2提拉硅单晶的硅单晶的制造方法,其中以规定的时间间隔取得包含反映在硅熔液2的熔液面2a上的石英坩埚11的镜像11M的影像,根据在石英坩埚11至少旋转一圈期间取得的多张影像所映现的石英坩埚11的镜像11M的位置的时间变化来评价石英坩埚11的变形或偏心。

主权项:1.一种硅单晶的制造方法,其是从石英坩埚内的硅熔液提拉硅单晶的硅单晶的制造方法,其特征在于,以规定的时间间隔取得包含反映在前述硅熔液的熔液面上的前述石英坩埚的镜像的影像,根据在前述石英坩埚至少旋转一圈期间取得的多张影像所映现的前述石英坩埚的镜像的位置的时间变化来评价前述石英坩埚的变形或偏心。

全文数据:

权利要求:

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