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一种高密度RDL制造工艺 

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申请/专利权人:东南大学;江苏芯德半导体科技有限公司

摘要:本发明公开一种高密度RDL制造工艺,属于印刷电路的技术领域。该工艺包括以下制作过程:将PID材料附着在基板上;光刻PID材料形成用于布线的沟槽;制作覆盖沟槽和光刻后剩余PID材料顶部的种子层;在种子层上电镀铜;通过化学机械抛光或飞切去除光刻后剩余PID材料顶部多余的铜和种子层。该工艺在PID材料底部形成的种子层不会造成电路短路,克服常见RDL制造工艺在刻蚀种子层的过程中刻蚀已制造好布线的缺陷,用PID材料代替光刻胶形成精细的特征图案,降低了制作超细布线的复杂程度,具有实用价值。

主权项:1.一种高密度RDL制造工艺,其特征在于,包括:步骤一,将PID材料附着在基板上;步骤二,光刻附着在基板上的PID材料,形成用于布线的沟槽;步骤三,在所述步骤二形成沟槽的基板表面,制作覆盖沟槽和光刻后剩余PID材料顶部的种子层;步骤四,在所述步骤三制作的种子层上电镀铜;步骤五,去除光刻后剩余PID材料顶部多余的铜和种子层。

全文数据:

权利要求:

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