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申请/专利权人：盛合晶微半导体(江阴)有限公司
摘要：本发明提供一种RDL金属线的制造方法及结构，包括以下步骤：S1：提供一晶圆，晶圆的上表面包括焊盘；S2：在晶圆的上表面形成干膜；S3：图形化干膜，在干膜中形成沟槽，沟槽裸露焊盘；S4：沉积金属层，金属层包括位于干膜上的第一子金属层，以及位于沟槽底部的第二子金属层，第一子金属层与第二子金属层之间的沟槽具有裸露侧壁部，第一子金属层与第二子金属层由裸露侧壁部隔离；S5：去除干膜及位于干膜上的第一子金属层，保留位于沟槽底部的第二子金属层，以形成RDL金属线。本发明可减少制造RDL金属线的工艺步骤、降低工艺复杂度、降低生产成本及减小RDL金属线的线宽及线间距，以提高RDL的供电轨道。
主权项：1.一种RDL金属线的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一晶圆，所述晶圆的上表面包括焊盘；S2：在所述晶圆的上表面形成干膜；S3：图形化所述干膜，在所述干膜中形成沟槽，所述沟槽裸露所述焊盘；S4：沉积金属层，所述金属层包括位于所述干膜上的第一子金属层，以及位于所述沟槽底部的第二子金属层，所述第一子金属层与所述第二子金属层之间的所述沟槽具有裸露侧壁部，所述第一子金属层与所述第二子金属层由所述裸露侧壁部隔离；S5：去除所述干膜及位于所述干膜上的所述第一子金属层，保留位于所述沟槽底部的所述第二子金属层，以形成所述RDL金属线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 盛合晶微半导体(江阴)有限公司 一种RDL金属线的制造方法及结构
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