买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
申请/专利权人:西安理工大学
摘要:本发明公开了用于增强型GaNHEMT有源栅极驱动芯片输出电压动态可调的LDO,包括dvdt采样模块,dvdt采样模块依次连接有脉冲产生模块、移位寄存器模块、LDO模块,还包括逻辑驱动模块,逻辑驱动模块连接有增强型GaNHEMTQ1,增强型GaNHEMTQ1漏极与dvdt采样模块连接,增强型GaNHEMTQ1漏极还连接有电感L0和增强型GaNHEMTQ0,增强型GaNHEMTQ1源极连接有电感Ls,增强型GaNHEMTQ0连接有电感Lstray,增强型GaNHEMTQ0源极与漏极均与电感L0连接,电感Lstary连接有电源Vbus,电源Vbus与电感Ls连接。用于增强型GaNHEMT有源栅极驱动芯片输出电压动态可调的LDO,通过实时检测dvdt的大小来动态调节LDO的输出电压,实现了增强型GaNHEMT有源栅极驱动芯片输出电压动态可调。
主权项:1.用于增强型GaNHEMT有源栅极驱动芯片输出电压动态可调的LDO,其特征在于,包括dvdt采样模块1,所述dvdt采样模块1依次连接有脉冲产生模块2、移位寄存器模块3、LDO模块4,还包括逻辑驱动模块5,所述逻辑驱动模块5连接有增强型GaNHEMTQ1,所述增强型GaNHEMTQ1漏极与dvdt采样模块1连接,所述增强型GaNHEMTQ1漏极还连接有电感L0和增强型GaNHEMTQ0,所述增强型GaNHEMTQ1源极连接有电感Ls,所述增强型GaNHEMTQ0连接有电感Lstray,所述增强型GaNHEMTQ0源极与漏极均与电感L0连接,所述电感Lstary连接有电源Vbus,所述电源Vbus与电感Ls连接。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 西安理工大学 用于增强型GaN HEMT有源栅极驱动芯片输出电压动态可调的LDO
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。