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申请/专利权人：福州镓谷半导体有限公司
摘要：本发明涉及HEMT器件技术领域，公开了一种增强型HEMT器件及其制备方法，HEMT器件包括硅衬底，硅衬底上从下往上依次设有成核层、缓冲层、C‑GaN层、沟道层、势垒层、AlN层、AlGaN层、UID‑GaN层和P‑GaN层，P‑GaN层的顶面设有栅极，ALN层上设有源极和漏极；对于本发明的HEMT器件，在进行干法刻蚀时可以通过设置刻蚀选择比，在没有识别到Ga的信号时停止刻蚀，使刻蚀停在AlN层上，既保证P‑GaN层被刻蚀干净，又能避免势垒层被过刻蚀；另外由于势垒层不易长平，在势垒层上平铺一层AlN层后，能为源漏极的制作提供一个更为平整的制作表面；另外本发明的HEMT器件的AlN层具有较短的键长，化学性质稳定，可以较好地阻挡P‑GaN层中杂质Mg往2DEG工作区扩散，降低器件的导通电阻。
主权项：1.一种增强型HEMT器件，其特征在于，包括硅衬底，所述硅衬底上从下往上依次设有成核层、缓冲层、C-GaN层、沟道层、势垒层、AlN层、AlGaN层、UID-GaN层和P-GaN层，所述P-GaN层的顶面设有栅极，所述ALN层上设有源极和漏极，所述源极和漏极在所述栅极两侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 福州镓谷半导体有限公司 一种增强型HEMT器件及其制备方法
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