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申请/专利权人：安徽大学
摘要：本发明公开了一种耐压的GaNHEMT结构，涉及半导体技术领域。本发明将势垒层设置成横向方向Al组分不同的势垒层，因每部分势垒层组分不同，导致产生不同的应力，形成不同深度的量子阱，从而诱发相应的不同的极化效应，因而在第一势垒层的一侧依次连接的第二势垒层、第三势垒层、第四势垒层在第一势垒层同侧的通道层上形成从栅极向漏电极逐渐递增的二维电子气，在第一势垒层另一侧连接的第五势垒层同侧的通道层上形成从栅极向源电极逐渐递增的二维电子气，因此在栅极与漏电极和源电极间的区域形成平滑的电场分布，提升了漂移区平均电场强度，且降低泄漏电流，使得器件的耐压能力大大提高，输出性能也得到改善。
主权项：1.一种耐压的GaNHEMT结构，其特征在于，包括依次层叠的成核层（1）、缓冲层（2）、通道层（3）、势垒层（9）和钝化层（8）；所述缓冲层（2）的顶部、通道层（3）、势垒层（9）及钝化层（8）的长度小于所述成核层（1）的长度以在两侧形成缺口，并在两侧的缺口处分别设置漏电极（4）和源电极（5）；所述钝化层（8）中内嵌有p-GaN层（7），并与势垒层（9）和栅极（6）相连；所述势垒层（9）包括包夹在通道层（3）和钝化层（8）间的第一势垒层（11），且所述第一势垒层（11）的长度大于p-GaN层（7）的长度并与p-GaN层（7）相连；所述第一势垒层（11）的一侧连接有第二势垒层（12），所述第二势垒层（12）的一侧连接有第三势垒层（13），所述第三势垒层（13）的一侧连接有第四势垒层（14），所述第四势垒层（14）的另一侧与漏电极（4）相连；所述第一势垒层（11）的另一侧连接有第五势垒层（10），所述第五势垒层（10）的另一侧与源电极（5）相连；所述第一势垒层（11）、第二势垒层（12）、第三势垒层（13）、第四势垒层（14）及第五势垒层（10）的Al组分不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽大学 一种耐压的GaN HEMT结构
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