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申请/专利权人：湖北九峰山实验室

摘要：本申请公开了一种HEMT器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，制备方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成T型栅极，T型栅极包括：栅足和栅帽；其中，半导体衬底的表面覆盖有支撑层，支撑层具有露出半导体衬底的第一开口；栅足的一端基于第一开口固定在半导体衬底的表面上，栅足的另一端上方设置有栅帽；栅足的高度大于支撑层的厚度，以使得栅帽与支撑层之间具有预设距离。本申请技术方案中，由于支撑层与栅帽之间具有预设距离，可以在通过支撑层固定支撑栅足的同时，还可以减少对栅极寄生电容的影响，在使得T型栅极具有较好机械稳定性，同时还可以使得其具有较小的寄生电容。

主权项：1.一种HEMT器件的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成T型栅极，所述T型栅极包括：栅足和栅帽；其中，所述半导体衬底的表面覆盖有支撑层，所述支撑层具有露出所述半导体衬底的第一开口；所述栅足的一端基于所述第一开口固定在所述半导体衬底的表面上，所述栅足的另一端上方设置有所述栅帽；所述栅足的高度大于所述支撑层的厚度，以使得所述栅帽与所述支撑层之间具有预设距离；所述栅足包括：嵌入固定在支撑层内的第一部分栅足和露出在支撑层之外的第二部分栅足；其中，所述第一部分栅足满足宽度恒定条件；所述第二部分栅足的宽度在所述半导体衬底指向所述支撑层的方向上逐渐增大；其中，形成所述T型栅极的方法包括：在所述半导体衬底的表面上形成第一膜层结构；在所述第一膜层结构上形成刻蚀窗口；基于所述刻蚀窗口，进行刻蚀处理，以在所述支撑层中形成所述第一开口；其中，所述刻蚀处理是各向异性刻蚀，以在形成所述第一开口的同时，将所述刻蚀窗口扩展为第二开口，所述第二开口的宽度在所述半导体衬底指向所述支撑层的方向上逐渐增大；在所述第一膜层结构的表面上形成图形化的第二膜层结构，所述第二膜层结构具有露出所述第一开口和所述第二开口的第三开口；基于所述第二膜层结构进行金属沉积，以在所述第一开口和所述第二开口形成所述栅足，以在所述第一膜层结构上方的所述第三开口内形成所述栅帽；去除所述第一膜层结构和所述第二膜层结构；其中，形成所述图形化的第二膜层结构的方法包括：在所述第一膜层结构的表面上形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层填充所述第一开口和所述第二开口；在所述第二光刻胶层的表面上形成第三光刻胶层，所述第三光刻胶层与所述第二光刻胶层的光敏特性不同；基于所述第三光刻胶层与所述第二光刻胶层的光敏特性不同，进行曝光显影，以去除所述第一开口和所述第二开口内的所述第二光刻胶层，并在所述第一膜层结构上方的所述第二光刻胶层和所述第三光刻胶层内形成所述第三开口；其中，所述第三开口位于所述第二光刻胶层内的部分具有第一宽度，位于所述第三光刻胶层内的部分具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。

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