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申请/专利权人：徐州立羽高科技有限责任公司
摘要：本申请涉及一种常关型EmodeHEMT器件及制备方法，该常关型EmodeHEMT器件，包括:衬底；外延层，包括依次设置于所述衬底上的成核层、缓冲层和势垒层；栅极离子注入隔离区域，所述栅极离子注入隔离区域的形成包括通过离子注入方式向所述势垒层注入N离子，所述N离子的能量1keV；栅极金属电极，设置在所述待形成栅极的区域上，且与所述栅极离子注入隔离区域形成肖特基接触；源极欧姆接触电极；漏极欧姆接触电极。本申请中，通过在栅极金属电极的下方注入能量1keV的离子，可以对栅极区域的势垒层的晶格产生破环作用，从而实现将栅极下方的二维电子气2DEG的耗尽，进而实现常关型EmodeHEMT。
主权项：1.一种常关型EmodeHEMT器件，其特征在于，包括:衬底；外延层，包括依次设置于所述衬底上的成核层、缓冲层和势垒层；栅极离子注入隔离区域，设置于待形成栅极的区域中的所述势垒层中，所述栅极离子注入隔离区域的形成包括通过离子注入方式向所述势垒层注入N离子，所述N离子的能量1keV；栅极金属电极，设置在所述待形成栅极的区域上，且与所述栅极离子注入隔离区域形成肖特基接触；源极欧姆接触电极，设置于所述栅极金属电极的一侧，且与所述势垒层和所述缓冲层之间的二维电子气之间形成源极欧姆接触；漏极欧姆接触电极，设置于所述栅极金属电极的另一侧，且与所述势垒层和所述缓冲层之间的二维电子气之间形成漏极欧姆接触；所述栅极离子注入隔离区域的注入深度由所述势垒层延伸至所述缓冲层中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 徐州立羽高科技有限责任公司 一种常关型Emode HEMT器件及制备方法
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