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申请/专利权人：华为技术有限公司
摘要：一种增强型HEMT器件及其制备方法，该器件包括衬底、生长在衬底上的一次外延结构及二次外延结构，整体器件在水平方向上可被划分为有源区域和栅极区域。其中，一次外延结构包括沟道层及第一势垒层，二次外延结构包括第二势垒层及p型帽层，其中，第一势垒层位于有源区域对应的沟道层上，第二势垒层位于栅极区域对应的沟道层上，第二势垒层区别于第一势垒层。通过本申请中的器件制备方法，第一势垒层的Al组分含量和厚度均可以与第二势垒层不同，达成了栅极区域和有源区域的势垒层的相互分立，因此器件可同时具有稳定可调控的阈值电压和有源区域低导通电阻，从而有效实现了具有高性能规格和优异器件可靠性的增强型半导体器件。
主权项：1.一种增强型HEMT器件，所述器件沿水平方向被划分为栅极区域和有源区域，其特征在于，所述器件包括：衬底；一次外延结构，包括位于所述衬底的表面上的沟道层及位于所述有源区域对应的所述沟道层的表面上的第一势垒层，所述第一势垒层与所述沟道层形成具有二维电子气的异质结结构；以及二次外延结构，包括位于所述栅极区域对应的所述沟道层的表面上的第二势垒层及位于所述第二势垒层的表面上的p型帽层，所述第二势垒层区别于所述第一势垒层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华为技术有限公司 一种增强型HEMT器件及其制备方法
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