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申请/专利权人：意法半导体国际公司
摘要：一种包括多个晶体管的电子电路，所述电子电路包括：第一导电类型的至少一个第一MOS晶体管，被布置在半导体衬底的至少一个第一有源区内部和顶部；以及第二导电类型的至少一个第二MOS晶体管，被布置在半导体衬底的至少一个第二有源区内部和顶部，第二导电类型与第一导电类型相反。每个第一有源区由第一绝缘区域界定，第一绝缘区域相对于半导体衬底的第一表面被凹进第一深度。每个第二有源区由第二绝缘区域界定，第二绝缘区域与半导体衬底的第一表面齐平，或者，第二绝缘区域相对于半导体衬底的第一表面被凹进第二深度，第二深度小于第一深度。
主权项：1.一种包括多个晶体管的电子电路，所述电子电路包括：第一导电类型的至少一个第一MOS晶体管，被布置在半导体衬底的至少一个第一有源区的内部和顶部；第二导电类型的至少一个第二MOS晶体管，被布置在所述半导体衬底的至少一个第二有源区的内部和顶部，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；每个第一有源区由第一绝缘区域界定，所述第一绝缘区域相对于所述半导体衬底的第一表面被凹进第一深度；以及每个第二有源区由第二绝缘区域界定，所述第二绝缘区域与所述半导体衬底的所述第一表面齐平，或者，所述第二绝缘区域相对于所述半导体衬底的所述第一表面被凹进第二深度，所述第二深度小于所述第一深度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体国际公司 具有MOS晶体管的电子电路和制造方法
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