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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本发明提供一种LCOS结构的制造方法，包括提供基底，在基底上完成驱动电路、并在驱动电路层上完成介质层的制作；在介质层上沉积用作金属反射层的金属；在金属层上沉积阻挡保护层；对阻挡保护层和金属层进行蚀刻实现图案化；淀积形成覆盖的氧化层和抗反射涂层；调节刻蚀参数，采用不需要掩膜层的无图形干法刻蚀工艺去除氧化层和抗反射涂层；采用CMP工艺去除阻挡保护层，露出金属反射层的上表面。本发明在金属反射层上沉积阻挡保护层，在覆盖的氧化层上方沉积抗反射涂层，利用抗反射涂层流动性特点，使得面内厚度差异小于1％，在进行CMP时，可保护金属反射层、减少CMP的研磨量和研磨时间，保证金属反射层的表面平整，从而制作出具有高质量金属反射层的LCOS。
主权项：1.一种LCOS结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供基底，在所述基底上完成内部驱动电路、并在驱动电路层上完成介质层的制作；步骤二、在所述介质层上沉积用作金属反射层的金属；步骤三、在金属层上沉积阻挡保护层；步骤四、对所述阻挡保护层和所述金属层进行蚀刻，实现图案化；步骤五、淀积形成覆盖的氧化层和位于所述氧化层上方的抗反射涂层；步骤六、调节刻蚀参数，采用不需要掩膜层的无图形干法刻蚀工艺去除所述氧化层和所述抗反射涂层；步骤七、采用CMP工艺去除所述阻挡保护层，露出所述金属反射层的上表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 一种LCOS结构的制造方法
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