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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本发明涉及一种三维集成结构。所述三维集成结构中，第一半导体器件与第二半导体器件键合以使第一虚置键合垫与相对的第二虚置键合垫键合连接，并且，在由第一半导体器件和第二半导体器件键合形成的键合界面的至少部分区域具有散热屏蔽层，所述散热屏蔽层包括至少两个彼此电连接的第一虚置键合垫。所述散热屏蔽层可以提升三维集成结构的散热能力,降低三维集成结构内部不同金属层之间的电磁干扰，并且，利用第一虚置键合垫构造所述散热屏蔽层，在不需要增加成本和工艺复杂度的情况下提高了三维集成结构的性能。
主权项：1.一种三维集成结构，其特征在于，包括：第一半导体器件，包括第一衬底、形成于所述第一衬底上的第一介质层以及嵌于所述第一介质层的多个第一虚置键合垫；第二半导体器件，包括第二衬底、形成于所述第二衬底上的第二介质层以及嵌于所述第二介质层的多个第二虚置键合垫，其中，所述第一半导体器件与所述第二半导体器件键合以使所述第一虚置键合垫与相对的所述第二虚置键合垫键合连接；以及散热屏蔽层，位于由所述第一半导体器件和所述第二半导体器件键合形成的键合界面的至少部分区域，且包括至少两个彼此电连接的所述第一虚置键合垫。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 三维集成结构
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