买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
申请/专利权人:江苏新顺微电子股份有限公司
摘要:本发明公开了一种VDMOS器件ESD保护结构,包括:浓掺硅衬底;在浓掺硅衬底上设置漂移层;漂移层上设置氧化层;在氧化层上设置第一掺杂区,第一掺杂区中间设置多条平行沟槽,所述沟槽为第二掺杂区;所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的掺杂导电离子类型不同;在第一掺杂区和第二掺杂区上为绝缘介质层,绝缘介质层两侧开孔,并分别设置电极。采用多晶刻蚀后原位掺杂多晶硅的方式,代替了离子注入的方式,杂质浓度分布均匀性得到很大提升,同等条件下提高了抗ESD的能力。ESD保护区中形成高质量交替排布的阴极区域和阳极区域,能够提高VDMOS器件抗ESD效果,从而更好地保护器件。
主权项:1.一种VDMOS器件ESD保护结构,其特征在于,包括:浓掺硅衬底;在浓掺硅衬底上设置漂移层;漂移层上设置氧化层;在氧化层上设置第一掺杂区,第一掺杂区中间设置多条平行沟槽,所述沟槽为第二掺杂区;所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的掺杂导电离子类型不同;在第一掺杂区和第二掺杂区上为绝缘介质层,绝缘介质层两侧开孔,并分别设置电极。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 江苏新顺微电子股份有限公司 一种VDMOS器件ESD保护结构及其制作方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。