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申请/专利权人：安徽光智科技有限公司
摘要：本发明提供一种基于环孔结构的InSb红外探测器芯片组件，还提供一种该组件的制备方法，包括：在N型InSb晶圆表面形成SiON钝化层；将钝化后的晶圆与读出电路贴合固化，再减薄晶圆；在晶圆表面光刻蚀形成环孔通道；在环孔通道区域将Be离子注入InSb层；在环孔通道内和公共电极区域表面沉积电极；沉积SiO层，然后进行光刻露出环孔通道和公共电极区域，并对环孔通道和公共电极区域进行刻蚀去除SiO层。本发明的制备方法可以提高InSb探测器的生产效率和良品率，降低生产成本；且本发明可以实现各类尺寸像元的制备，在发展超大规模焦平面方面该结构可以不受In柱互连限制，具有独特的结构优势，能制备高密度、小像元、高性能的InSb焦平面红外探测器。
主权项：1.一种基于环孔结构的InSb红外探测器芯片组件，其特征在于，包括：读出电路、InSb层和环孔通道，环氧胶用于粘接读出电路和InSb层，所述环孔通道位于所述读出电路上并贯穿所述InSb层和环氧胶，所述InSb层靠近环氧胶的一面上设有SiON钝化层，所述InSb层包括环孔通道周围的P型InSb层和远离环孔通道的N型InSb层，所述环孔通道内设有金属层，所述InSb层上设有围绕环孔通道的SiO层和远离环孔通道的公共电极层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽光智科技有限公司 一种基于环孔结构的InSb红外探测器芯片组件及其制备方法
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