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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明涉及电子信息技术领域，具体涉及一种低Te、As掺杂InSb晶片的制备方法，所述InSb原料为ωInSb≥99.99％的InSb多晶柱，所述Te掺杂量为5×1015cm‑3‑5×1020cm‑3。本发明采用直拉法Cz生长了不同Te掺杂量的InSb:Te晶体，结合了Te原子与Sb原子大小相近、价电子壳层结构也接近、替代Sb的位置起施主作用，通过调节Te的掺杂量，使得InSb:Te晶体在300K下的导电类型为N型、电阻率减小，迁移率提高。同时Te掺杂使晶体透过率降低，带隙变宽，吸收截止波长向短波方向移动，能很好满足红外探测的需求。
主权项：1.一种低Te掺杂InSb晶片，其特征在于，所述晶片原料包括有单质Te粉末、InSb多晶棒和InSb籽；以[211]晶向的高质量、低位错的InSb籽晶和高纯6NInSb多晶棒为原料，ωInSb≥99.98％；所述单质Te粉末，其特征在于，Te的掺杂浓度为5×1015cm-3--8×1020cm-3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种低Te掺杂的InSb晶片及其制备
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