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一种回收废碲铋合金晶棒制备P型Bi2Te3基热电材料的方法 

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申请/专利权人:先导薄膜材料(广东)有限公司

摘要:本发明属于热电材料技术领域,公开了一种回收废碲铋合金晶棒制备P型Bi2Te3基热电材料的方法。所述制备方法为:将理论组成为BixSb2‑xTe3,x=0.32~0.48的废碲铋合金晶棒经清洗烘干,然后测试其电导率和塞贝克系数,对比不同Bi含量的标准样品,反向推测出该碲铋合金试样的Bi含量范围值;以Bi含量x=0.40为基准,将Bi含量在不同范围内的废碲铋合金棒理论计算成最优比例,组合重新进行熔炼冷淬、粉碎筛分、热压烧结成合金锭,得到高性能的P型Bi2Te3基热电材料。本发明采用废碲铋合金晶棒通过互补晶棒调整成分比例,再次制备出高性能热电材料晶棒,具有生产成本低、废料回收利用率高的优势。

主权项:1.一种回收废碲铋合金晶棒制备P型Bi2Te3基热电材料的方法,其特征在于,包括如下步骤:1将理论组成为BixSb2-xTe3,x=0.32~0.48的废碲铋合金晶棒经清洗烘干,得到干净的废碲铋合金棒;2对干净的废碲铋合金晶棒进行部分抽检,进行电性能检测,以电导率和塞贝克系数的具体数值,对比碲铋合金的标准数据,反向推导出该废碲铋合金晶棒的Bi含量范围值,并且分为以下四种:①电导率=1096~1169S·cm-1,塞贝克系数=172~184μV·K-1,BixSb2-xTe3中Bi含量x=0.32~0.36;②电导率=947~1095S·cm-1,塞贝克系数=185~205μV·K-1,BixSb2-xTe3中Bi含量x=0.36~0.40;③电导率=891~946S·cm-1,塞贝克系数=205~208μV·K-1,BixSb2-xTe3中Bi含量x=0.40~0.44;④电导率=646~890S·cm-1,塞贝克系数=209~225μV·K-1,BixSb2-xTe3中Bi含量x=0.44~0.48;3以Bi含量x=0.4为基准,将Bi含量在不同范围内的废碲铋合金棒理论计算成最优比例,组合后重新进行熔炼冷淬、粉碎筛分、热压烧结成合金锭,得到高性能的P型Bi2Te3基热电材料。

全文数据:

权利要求:

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