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申请/专利权人：中山大学
摘要：本发明公开了一种利用选区外延技术制作半导体激光器的方法，在器件的制备过程中，通过改进掩膜的图形和位置，改善选区外延技术中的生长速率增强效应。利用曝光和刻蚀方法，在二氧化硅掩膜上刻蚀开口，分为生长窗口区及缓冲窗口区；缓冲窗口区分布在生长窗口区四周，根据质量守恒定律，减少了生长窗口区掩膜边缘的前驱体浓度，平衡生长窗口区的生长速率，提升选区外延生长VCSEL外延结构的薄膜均匀性，最终提高硅衬底上外延生长的VCSEL的性能和可靠性。
主权项：1.一种利用选区外延技术制作半导体激光器的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，用化学气相沉积法在硅001晶圆上外延生长一层锗缓冲层；S2，利用化学气相沉积法在所述硅晶圆上沉积一层二氧化硅薄膜；S3，利用曝光和刻蚀方法，在所述二氧化硅薄膜中制作开口区域分为生长窗口区及缓冲窗口区的掩膜，得到包括图形化衬底；S4，使用HF溶液对所述图形化衬底进行湿法处理，以去除暴露的锗缓冲区层的自然氧化物；S5，利用金属有机物化学气相沉积设备或分子束外延设备或其他的三五族半导体外延生长设备，在所述掩膜中外延生长VCSEL的整体外延结构；S6，利用曝光和刻蚀方法，对生长完成的整体的VCSEL外延结构进行二次曝光，暴露出缓冲窗口区并对其进行刻蚀，以去除缓冲窗口区生长的VCSEL外延结构，去胶后仅留下生长窗口区内的VCSEL外延结构；S7，对所述生长窗口区内的VCSEL外延结构利用通常的VCSEL制作工艺完成VCSEL的制作。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中山大学 一种利用选区外延技术制作半导体激光器的方法
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