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申请/专利权人：南京航空航天大学
摘要：本发明提出了一种超稳定性气体电子倍增器GEM镀膜方法及工艺该方法以氧化锆ZrO2为基材，采用化学气相沉积CVD技术镀覆富硼碳化硼10B4C薄膜，以增强其耐辐射和耐腐蚀能力。通过精确控制CVD过程，设定特定的孔径、孔间距和膜厚度，以优化GEM膜的增益性能和稳定性。在镀膜过程后，采用等离子体处理技术对镀覆表面进行改性，进一步提高了GEM膜的耐腐蚀性和耐辐照性。该等离子体处理不仅增加了膜层的表面粗糙度，以提高气体吸附效率，还通过表面激活增强了膜与基材之间的附着力。本发明的GEM镀膜方法通过结合高性能的陶瓷基材和先进的表面改性技术，显著提升了探测器的使用寿命和稳定性，并具有较好的可重复性和成本效益。
主权项：1.一种用于中子探测的超稳定性气体电子倍增器GEM膜的制作方法，其特征在于该方法结合了陶瓷基材的高耐辐射性和富硼碳化硼涂层的高中子捕获率，以及通过精确控制的微孔结构和表面等离子体处理以提高膜的电子倍增效率和环境稳定性，包括以下步骤：提供一块氧化锆ZrO2陶瓷基材；在所述陶瓷基材上采用化学气相沉积CVD技术沉积一层富硼碳化硼10B4C薄膜；通过激光钻孔技术在所述富硼碳化硼薄膜上制造一系列微孔；应用等离子体处理技术对所述微孔薄膜进行表面改性。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京航空航天大学 一种超稳定性GEM镀膜方法及工艺
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