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申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

摘要：本发明涉及一种RB‑SiC基底表面改性层的制备装置及方法，制备装置包括挡片和驱动件，挡片安装在溅射阴极和RB‑SiC基底之间，并跟随溅射阴极同步移动；驱动件与挡片传动连接，调节挡片的偏转角度。当溅射阴极在RB‑SiC基底上方移动时，挡片跟随溅射阴极同步移动，根据溅射阴极与RB‑SiC基底之间的不同的相对位置，通过驱动件驱动挡片转动，将移动至不同位置的挡片调节至对应的特定的偏转角度，使挡片能够选择性且不同程度地阻挡溅射阴极射出的大角度沉积Si粒子入射到RB‑SiC基底的表面，调节沉积在RB‑SiC基底的表面的各个区域的Si改性层的致密度，使得Si改性层的边缘和中心区域能够获得更好的密度一致性。

主权项：1.一种RB-SiC基底表面改性层的制备方法，其特征在于，包括：RB-SiC基底表面改性层的制备方法包括以下步骤：S1.驱动溅射阴极在RB-SiC基底上方移动，以使得所述溅射阴极出射的沉积Si粒子入射到所述RB-SiC基底的表面的各个区域，从而在所述RB-SiC基底的表面沉积Si改性层；S2.在所述溅射阴极在所述RB-SiC基底上方移动的过程中，根据所述溅射阴极与所述RB-SiC基底之间的不同的相对位置，通过所述驱动件驱动挡片转动，以将移动至不同位置的所述挡片调节至对应的特定的偏转角度，使得所述挡片能够选择性且不同程度地阻挡所述溅射阴极射出的大角度沉积Si粒子入射到所述RB-SiC基底的表面，进而以调节沉积在所述RB-SiC基底的表面的各个区域的Si改性层的致密度；所述RB-SiC基底表面改性层的制备方法基于RB-SiC基底表面改性层的制备装置实现，所述RB-SiC基底表面改性层的制备装置包括：挡片，用于安装在溅射阴极和RB-SiC基底之间，并能够跟随所述溅射阴极同步移动，所述挡片用于阻挡所述溅射阴极射出的沉积Si粒子入射到所述RB-SiC基底的表面；以及驱动件，所述驱动件与所述挡片传动连接，所述驱动件用于驱动所述挡片转动，以调节所述挡片的偏转角度；所述挡片包括依次设置的多个子挡片，多个子挡片沿所述溅射阴极的长度方向依次设置，所述驱动件能够驱动各个所述子挡片转动，以独立调节各个所述子挡片的偏转角度。

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权利要求：

百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 RB-SiC基底表面改性层的制备装置及方法