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申请/专利权人:成都高投芯未半导体有限公司
摘要:本申请提供一种IGBT器件的静态电性测试方法、测试装置、测试系统及设备,涉及半导体技术领域。该方法包括控制测试系统对待测IGBT器件进行低压漏电流测试,得到第一低压漏电流测试结果;若第一低压漏电流测试结果指示低压漏电流测试通过,则控制测试系统对待测IGBT器件进行高压测试;在完成对IGBT器件的高压测试之后,控制测试系统对待测IGBT器件再次进行低压漏电流测试,得到第二低压漏电流测试结果;若第二低压漏电流测试结果指示低压漏电流测试通过,确定待测IGBT器件的静态电性测试通过。该方法按照一定测试逻辑对IGBT器件进行静态电性测试,不仅提高了静态电性测试的效率,还能够在测试失败后快速排查错误原因。
主权项:1.一种IGBT器件的静态电性测试方法,其特征在于,包括:控制测试系统对待测IGBT器件进行低压漏电流测试,得到第一低压漏电流测试结果;若所述第一低压漏电流测试结果指示低压漏电流测试通过,则控制所述测试系统对所述待测IGBT器件进行高压测试;在完成对所述IGBT器件的高压测试之后,控制所述测试系统对所述待测IGBT器件再次进行低压漏电流测试,得到第二低压漏电流测试结果;若所述第二低压漏电流测试结果指示低压漏电流测试通过,确定所述待测IGBT器件的静态电性测试通过。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 成都高投芯未半导体有限公司 IGBT器件的静态电性测试方法、测试装置、测试系统及设备
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