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底部填充真空工艺 

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申请/专利权人:国际商业机器公司

摘要:一种电子器件,通过在结合到支撑基板的集成电路IC芯片的周边周围分配底部填充材料而形成。空隙存在于所述底部填充材料中,所述底部填充材料存在于所述IC芯片和所述支撑基板之间。开口穿过IC芯片和支撑基板中的至少一个而存在,与空隙连通。通过穿过IC芯片而存在的开口,可以将真空施加到空隙,以将空隙的尺寸减小到第一体积。用密封板密封穿过IC芯片而存在的开口。在密封开口之后固化底部填充材料,以将空隙减小到至少第二体积,该第二体积小于第一体积。

主权项:1.一种用于形成电子器件的方法,包括;围绕结合到支撑基板的集成电路IC芯片的周边分配底部填充材料,其中所述底部填充材料中的空隙存在于所述IC芯片与所述支撑基板之间,并且开口存在为穿过所述IC芯片和所述支撑基板中的至少一个而与所述空隙连通;通过穿过所述IC芯片而存在的所述开口向所述空隙施加真空,以将所述空隙的尺寸减小至第一体积;用密封板密封所述开口;以及在密封所述开口之后固化所述底部填充材料,以将所述空隙减少到小于所述第一体积的至少第二体积。

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权利要求:

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