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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
摘要：本发明涉及具有交错的本体接触件与栅极接触件的晶体管结构，揭示包括场效应晶体管的结构以及形成包括场效应晶体管的结构的方法。该结构包括位于衬底中的沟槽隔离区，以及延伸穿过该沟槽隔离区至该衬底的本体接触区。该结构还包括场效应晶体管，该场效应晶体管包括栅极连接器、自该栅极连接器延伸的第一栅指、自该栅极连接器延伸的第二栅指、以及设于该第一栅指与该第二栅指间的源漏区。该栅极连接器设置于该沟槽隔离区上方。该结构还包括与该栅极连接器耦接的栅极接触件，以及穿过该栅极连接器的部分至该本体接触区的本体接触件。
主权项：1.一种结构，其特征在于，包括：衬底；第一沟槽隔离区，位于该衬底中；场效应晶体管，包括第一栅极连接器、自该第一栅极连接器延伸的第一栅指、自该第一栅极连接器延伸的第二栅指、以及设于该第一栅指与该第二栅指间的源漏区，该第一栅极连接器设置于该第一沟槽隔离区上方；第一本体接触区，延伸穿过该第一沟槽隔离区至该衬底；第一栅极接触件，与该第一栅极连接器耦接；以及第一本体接触件，穿过该第一栅极连接器的第一部分至该第一本体接触区。
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权利要求：
百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 具有交错的本体接触件与栅极接触件的晶体管结构
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