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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：本发明提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底；多个鳍，包括第一鳍、第二鳍、第三鳍、第四鳍及第五鳍，所述多个鳍中的每一个在第一方向上从所述衬底突出并在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；以及多个沟槽，包括第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽及第四沟槽，所述多个沟槽中的每一个形成在所述多个鳍中的相邻的鳍之间，其中所述第一沟槽的第一宽度及所述第三沟槽的第三宽度的变化小于第一变化，其中所述第二沟槽的第二宽度及所述第四沟槽的第四宽度的变化小于第二变化，且其中所述第二变化大于所述第一变化。
主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底；第一鳍、第二鳍、第三鳍、第四鳍及第五鳍，所述第一鳍到所述第五鳍中的每一个从所述衬底突出且彼此间隔开，所述第二鳍设置在所述第一鳍和所述第三鳍之间，所述第三鳍设置在所述第二鳍和所述第四鳍之间，所述第四鳍设置在所述第三鳍和所述第五鳍之间；第一沟槽，设置在所述第一鳍和所述第二鳍之间；第二沟槽，设置在所述第二鳍和所述第三鳍之间；第三沟槽，设置在所述第三鳍和所述第四鳍之间；以及第四沟槽，设置在所述第四鳍和所述第五鳍之间，其中所述第一沟槽的第一宽度小于所述第二沟槽的第二宽度，所述第三沟槽的第三宽度小于所述第二沟槽的所述第二宽度，所述第四沟槽的第四宽度大于所述第三沟槽的所述第三宽度，所述第四沟槽的所述第四宽度大于所述第二沟槽的所述第二宽度，所述第一沟槽的第一深度小于所述第二沟槽的第二深度，所述第三沟槽的第三深度小于所述第二沟槽的所述第二深度，所述第四沟槽的第四深度大于所述第三沟槽的所述第三深度，所述第四沟槽的所述第四深度大于所述第二沟槽的所述第二深度，所述第一沟槽的所述第一深度是相对于所述第一沟槽的最深点的深度，所述第二沟槽的所述第二深度是相对于所述第二沟槽的最深点的深度，所述第三沟槽的所述第三深度是相对于所述第三沟槽的最深点的深度，且所述第四沟槽的所述第四深度是相对于所述第四沟槽的最深点的深度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 包括形成有鳍结构的多栅极晶体管的半导体器件
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